CNY17-1/-2/-3
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ON Semiconductor CNY17-1/-2/-3

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型号

CNY17-1/-2/-3

utmel 编号

1807-CNY17-1/-2/-3

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

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CNY17-1/-2/-3 ON Semiconductor

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CNY17-1/-2/-3详情

ON Semiconductor CNY17-1/-2/-3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • hFEMin

    100

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    -400 mV

  • Breakdown Voltage / V

    51 V

  • Reverse Stand-off Voltage

    24 V

  • Manufacturer Lifecycle Status

    ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    125 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 输出的数量

    1

  • 输出电压

    5 V

  • 输出类型

    固定式

  • 通道数量

    2

  • 最大电源电压

    26 V

  • 最小电源电压

    3 V

  • 电源电流

    25 nA

  • 功率耗散

    150 mW

  • 输出电流

    500 mA

  • 静态电流

    2.5 mA

  • 回应时间

    1.3 µs

  • 最大反向漏电电流

    1 µA

  • 最小输入电压

    -18 V

  • 箝位电压

    70.1 V

  • 峰值脉冲电流

    21.4 A

  • 峰值脉冲功率

    1.5 kW

  • 最大输入电压

    26 V

  • 测试电流

    2.5 mA

  • 参考电压

    2.5 V

  • 增益带宽积

    1 MHz

  • 漏源电压 (Vdss)

    -60 V

  • 正向电压

    1 V

  • 压差电压

    600 mV

  • 齐纳电压

    75 V

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50 V

  • 反向恢复时间

    50 ns

  • 最大重复反向电压(Vrrm)

    250 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -1.5 V

  • 输入电容

    436 pF

  • 最大击穿电压

    9.8 V

  • 输入偏置电流

    200 µA

  • 集电极基极电压(VCBO)

    -40 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    40 V

  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)

    2.5 A

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 连续集电极电流

    -200 mA

  • 最小击穿电压

    25.4 V

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CNY17-1/-2/-3拓展信息

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