ON Semiconductor CPH3350-TL-H

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

3-CPH

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

3

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A (Ta)

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

HALOGEN AND LEAD FREE, CPH3, SC-59, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318BA

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

CPH3350-TL-H

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

3 A

系列

-

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

83mOhm @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

375 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.6 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.083 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

P

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W

场效应管特性

-