ON Semiconductor CPH3362-TL-W
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CPH3362-TL-W
1807-CPH3362-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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P-Channel Power MOSFET, -100V, -0.7A, 1.7O
--最小包装量--
CPH3362-TL-W详情
ON Semiconductor CPH3362-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
7 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
700mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V 10V
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
Reach合规守则
not_compliant
配置
Single
通道数量
1
功率耗散
1W
接通延迟时间
3.9 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.7 Ω @ 700mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
142pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.7nC @ 10V
上升时间
3.4ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
-700mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.7A
漏源击穿电压
-100V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.05mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH3362-TL-W拓展信息
ON Semiconductor
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