CPH5504-TL-E
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ON Semiconductor CPH5504-TL-E

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型号

CPH5504-TL-E

utmel 编号

1807-CPH5504-TL-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R

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CPH5504-TL-E
CPH5504-TL-E ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 50V 3A 5-Pin CPH T/R

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CPH5504-TL-E详情

ON Semiconductor CPH5504-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

  • 引脚数

    5

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    140mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    3A

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最大功率耗散

    900mW

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    5

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 功率 - 最大

    1.2W

  • 增益带宽积

    380MHz

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    3A

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    200 @ 100mA 2V

  • 最大集极截止电流

    1μA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    210mV @ 100mA, 2A

  • 最高频率

    380MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    100V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2.9mm

  • 宽度

    1.6mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor CPH5504-TL-E.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & CPH5504-TL-E相似的参数规格。

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CPH5504-TL-E拓展信息

MBT3906DW1T1G
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ON Semiconductor

BC856BDW1T1G
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ON Semiconductor

BC847BPDW1T1G
BC847BPDW1T1G

ON Semiconductor

BC846BDW1T1G
BC846BDW1T1G

ON Semiconductor

MC1413BDR2G
MC1413BDR2G

ON Semiconductor

BC847BDW1T3G
BC847BDW1T3G

ON Semiconductor

MMPQ2907A
MMPQ2907A

ON Semiconductor

BC847CDW1T1G
BC847CDW1T1G

ON Semiconductor

NST3946DXV6T1G
NST3946DXV6T1G

ON Semiconductor

BC857CDW1T1G
BC857CDW1T1G

ON Semiconductor

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