ON Semiconductor CPH5506-TL-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

表面安装

YES

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Number of Elements

2

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.2W

终端形式

鸥翼

引脚数量

5

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

1.2W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

500MHz

晶体管类型

NPN, PNP (Emitter Coupled)

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

225mV @ 15mA, 750mA / 375mV @ 15mA, 750mA

转换频率

500MHz

最大击穿电压

30V

频率转换

500MHz 450MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

900μm

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅