注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.152847
10
¥7.691367
100
¥7.256002
500
¥6.845287
1000
¥6.457818
ON Semiconductor CPH5520-TL-E
- 收藏
- 对比
CPH5520-TL-E
1807-CPH5520-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74A, SOT-753
大陆
立即发货

Bipolar Transistor, (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), Complementary Dual CPH5
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CPH5520-TL-E详情
ON Semiconductor CPH5520-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74A, SOT-753
表面安装
YES
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1.2W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
5
极性
NPN, PNP
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
1.2W
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管类型
NPN, PNP (Emitter Coupled)
集电极发射器电压(VCEO)
260mV
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
260mV @ 50mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V 50V
转换频率
420MHz
频率转换
420MHz
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH5520-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。