ON Semiconductor CPH6354-TL-W

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

78 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

5.8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

DS 击穿电压-最小值

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅