ON Semiconductor DTA114TXV3T1G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-89, SOT-490

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

160

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

200mW

Reach合规守则

unknown

额定电流

-100mA

基本部件号

DTA114

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

200mW

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

电阻基(R1)

10 k Ω

连续集电极电流

100mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅