ON Semiconductor DTC144EM3T5G
- 收藏
- 对比
DTC144EM3T5G
1807-DTC144EM3T5G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SOT-723
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
--最小包装量--
DTC144EM3T5G详情
ON Semiconductor DTC144EM3T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
1
hFEMin
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
260mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DTC144
引脚数量
3
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
260mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
最大击穿电压
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
电阻基(R1)
47 k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
高度
550μm
长度
1.25mm
宽度
850μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTC144EM3T5G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。