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1000

￥0.633221
2000

￥0.580939
5000

￥0.542931
10000

￥0.505049
15000

￥0.488441
50000

￥0.480283

ON Semiconductor DTC124EET1

Name: DTC124EET1
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-DTC124EET1
Price: 1.03 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

DTC124EET1

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-DTC124EET1

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SC-75, SOT-416

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416

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DTC124EET1 ON Semiconductor Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416

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DTC124EET1详情

技术参数

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ON Semiconductor DTC124EET1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

SC-75, SOT-416
安装类型

表面贴装
供应商器件包装

SC-75, SOT-416
hFEMin

60
Voltage Rating (DC)

50 V
RoHS

Compliant
Product Status

Obsolete
厂商

onsemi
Base Product Number

DTC124
Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA
Package

Bulk
系列

-
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
额定电流

100 mA
极性

NPN
元素配置

Single
功率耗散

200 mW
功率 - 最大

200 mW
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

50 V
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V
电阻基(R1)

22 kOhms
连续集电极电流

100 mA
电阻-发射极基极(R2)

22 kOhms
无铅

含铅

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DTC124EET1拓展信息

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