注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.665418
10
¥8.174922
100
¥7.712192
500
¥7.275648
1000
¥6.863819
ON Semiconductor ECH8309-TL-H
- 收藏
- 对比
ECH8309-TL-H
1807-ECH8309-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SMD, Flat Lead
大陆
立即发货

Trans MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-Pin ECH T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ECH8309-TL-H详情
ON Semiconductor ECH8309-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
表面安装
YES
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
Turn Off Delay Time
157 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
引脚数量
8
元素配置
Single
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 4.5A, 4.5V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1780pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 4.5V
上升时间
110ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
123 ns
连续放电电流(ID)
9.5A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
2.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ECH8309-TL-H拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。