ON Semiconductor EMA6DXV5T1
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EMA6DXV5T1
1807-EMA6DXV5T1
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-553
大陆
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Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
1最小包装量--
EMA6DXV5T1详情
ON Semiconductor EMA6DXV5T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-553
引脚数
5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
160
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
230mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MA6
引脚数量
5
资历状况
不合格
极性
PNP
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
230mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
47k Ω
连续集电极电流
100mA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
无铅
EMA6DXV5T1拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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