EMA6DXV5T5G
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ON Semiconductor EMA6DXV5T5G

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型号

EMA6DXV5T5G

utmel 编号

1807-EMA6DXV5T5G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-553

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin SOT-553 T/R

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EMA6DXV5T5G
EMA6DXV5T5G ON Semiconductor Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin SOT-553 T/R

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EMA6DXV5T5G详情

ON Semiconductor EMA6DXV5T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-553

  • 引脚数

    5

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    80

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    -50V

  • 最大功率耗散

    230mW

  • 额定电流

    -100mA

  • 基本部件号

    MA6

  • 引脚数量

    5

  • 极性

    PNP

  • 功率耗散

    230mW

  • 晶体管类型

    2 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    160 @ 5mA 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 1mA, 10mA

  • 电阻基(R1)

    47k Ω

  • 连续集电极电流

    100mA

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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