ON Semiconductor EMD4DXV6T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

2

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

357mW

无卤素

无卤素

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

发射极基极电压 (VEBO)

6V

电阻基(R1)

47k Ω, 10k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅