ON Semiconductor EMD5DXV6T1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin (Sn)

Reach合规守则

compliant

功率 - 最大

500mW

极性/通道类型

NPN/PNP

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V / 20 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

最大耗散功率(Abs)

0.5W

电阻基(R1)

4.7k Ω, 47k Ω

电阻-发射极基极(R2)

10k Ω, 47k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准