ON Semiconductor EMF5XV6T5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA 500mA

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

EMF

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

500mW

无卤素

无卤素

晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V / 270 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V 12V

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

电阻基(R1)

47k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅