ON Semiconductor EMZ1DXV6T1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

hFEMin

120

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-100mA

频率

140MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

EMZ1

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

140MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

转换频率

180MHz

频率转换

180MHz 140MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅