ON Semiconductor ESD8904MUTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
参数名
参数值
参数名
参数值
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
10
Package Description
R-PDSO-N10
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
ESD8904MUTAG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
4
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Breakdown Voltage-Nom
5.1 V
Risk Rank
5.8
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超低电容
HTS代码
8541.10.00.50
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
IEC-61000-4-2, 4-5
JESD-30代码
R-PDSO-N10
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管类型
跨压抑制二极管
Rep Pk反向电压-最大值
3.3 V
反向电流-最大值
1 µA
击穿电压-最小值
4.7 V
最大箝位电压
9.5 V
反向测试电压
3.3 V
击穿电压-最大值
6.2 V
二极管电容-最小值
0.3 pF