ON Semiconductor FCB110N65F

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

357W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 3.5mA

Turn Off Delay Time

89 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FRFET®, SuperFET® II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

31 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

110m Ω @ 17.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4895pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

145nC @ 10V

上升时间

21ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.7 ns

连续放电电流(ID)

35A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.11Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

105A

DS 击穿电压-最小值

650V

雪崩能量等级（Eas）

809 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant