ON Semiconductor FCD600N60Z

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

89W Tc

Turn Off Delay Time

39 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

系列

SuperFET® II

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FCD600N60

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

89W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 3.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1120pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

7.4A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22.2A

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅