ON Semiconductor FCD850N80Z
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FCD850N80Z
1807-FCD850N80Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
--最小包装量--
FCD850N80Z详情
ON Semiconductor FCD850N80Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
质量
260.37mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
75W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® II
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
850m Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 600μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1315pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
800V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCD850N80Z拓展信息
ON Semiconductor
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