ON Semiconductor FCH22N60N

工厂交货时间

13 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Turn Off Delay Time

49 ns

Power Dissipation (Max)

205W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

已出版

2008

系列

SupreMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

205W

接通延迟时间

16.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

165m Ω @ 11A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1950pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

16.7ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

22A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

66A

雪崩能量等级（Eas）

672 mJ

宽度

5.03mm

长度

15.95mm

高度

21mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant

无铅

无铅