ON Semiconductor FCH47N60F-F085
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FCH47N60F-F085
1807-FCH47N60F-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
1最小包装量--
FCH47N60F-F085详情
ON Semiconductor FCH47N60F-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
6.39g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
47A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
417W Tc
Turn Off Delay Time
540 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
FCH47N60
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
110 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
75m Ω @ 47A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
250nC @ 10V
上升时间
160ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
125 ns
连续放电电流(ID)
47A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.075Ohm
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
810 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCH47N60F-F085拓展信息
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