ON Semiconductor FCHD190N65S3R0-F155

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

144W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 390μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

SuperFET® III

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin (Sn)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 8.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant