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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.903875
10
¥15.003661
100
¥14.154396
500
¥13.3532
1000
¥12.597362
ON Semiconductor FCI11N60
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- 对比
FCI11N60
1807-FCI11N60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail
--最小包装量--
¥
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FCI11N60详情
ON Semiconductor FCI11N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Turn Off Delay Time
119 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
600V
额定电流
11A
元素配置
Single
功率耗散
125W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1490pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
52nC @ 10V
上升时间
98ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
56 ns
连续放电电流(ID)
11A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FCI11N60拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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