ON Semiconductor FCMT199N60

工厂交货时间

33 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-PowerTSFN

引脚数

4

质量

449.03225mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

系列

SuperFET® II

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

74nC @ 10V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

20.2A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

高度

1.05mm

长度

8mm

宽度

8mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant