ON Semiconductor FCP099N60E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

37A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

357W Tc

Turn Off Delay Time

92 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

99m Ω @ 18.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3465pF @ 380V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

114nC @ 10V

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

37A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.099Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

111A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

809 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant