ON Semiconductor FCP130N60

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

278W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

130mOhm

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 14A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3590pF @ 380V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

70nC @ 10V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

28A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

84A

雪崩能量等级（Eas）

720 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant