ON Semiconductor FCP16N60N
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FCP16N60N
1807-FCP16N60N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3
--最小包装量--
FCP16N60N详情
ON Semiconductor FCP16N60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
134.4W Tc
Turn Off Delay Time
60.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SupreMOS™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
199mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
134.4W
接通延迟时间
15.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
199m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2170pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
52.3nC @ 10V
上升时间
15.5ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
20.2 ns
连续放电电流(ID)
16A
阈值电压
2V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48A
栅源电压
2 V
高度
9.4mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FCP16N60N拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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