ON Semiconductor FCP21N60N

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

Package

Tube

Base Product Number

FCP21

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

-

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

-

Product Status

Obsolete

操作温度

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系列

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技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

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漏源电压 (Vdss)

600 V

场效应管特性

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