ON Semiconductor FCP25N60N-F102

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

216W Tc

Turn Off Delay Time

68 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SupreMOS™

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

216W

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 12.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3352pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

74nC @ 10V

上升时间

22ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

25A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant