ON Semiconductor FCP360N65S3R0

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

83W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® III

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

730pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

RoHS状态

符合RoHS标准