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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥23.876992
10
¥22.525466
100
¥21.250435
500
¥20.047579
1000
¥18.912811
ON Semiconductor FCP380N60E
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- 对比
FCP380N60E
1807-FCP380N60E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP380N60E Power MOSFET, N Channel, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FCP380N60E详情
ON Semiconductor FCP380N60E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10.2A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
106W Tc
Turn Off Delay Time
64 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
元素配置
Single
功率耗散
106W
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1770pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
10.2A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
600V
高度
9.4mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FCP380N60E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







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