ON Semiconductor FCP600N65S3R0

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 600μA

Power Dissipation (Max)

54W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

系列

SuperFET® III

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

端子表面处理

Tin (Sn)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

465pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

RoHS状态

符合RoHS标准