ON Semiconductor FCPF190N60-F152

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.565008g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

39W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

74nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

20.2A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60.6A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant