ON Semiconductor FCPF380N60E-F152

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.2A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

31W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

JEDEC-95代码

TO-220AB

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30.6A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

211.6 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant