ON Semiconductor FCPF400N80ZL1

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

底架

通孔

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 1.1mA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35.7W Tc

Turn Off Delay Time

51 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

400mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 5.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2350pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 10V

上升时间

12ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.6 ns

连续放电电流(ID)

11A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

33A

雪崩能量等级（Eas）

339 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant