ON Semiconductor FCPF600N60Z
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FCPF600N60Z
1807-FCPF600N60Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F
--最小包装量--
FCPF600N60Z详情
ON Semiconductor FCPF600N60Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
质量
2.27g
Power Dissipation (Max)
89W Tc
Turn Off Delay Time
39 ns
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.4A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
功率耗散
28W
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600m Ω @ 3.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1120pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
7.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
650V
宽度
4.9mm
长度
10.36mm
高度
16.07mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FCPF600N60Z拓展信息
ON Semiconductor
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