ON Semiconductor FCU850N80Z

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

质量

343.08mg

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

75W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 600μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电阻

850mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

1

元素配置

Single

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1315pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant