ON Semiconductor FDA15N65

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

6.401g

Power Dissipation (Max)

260W Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

105 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

UniFET™

已出版

2011

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

260W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

440m Ω @ 8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3095pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

上升时间

125ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

650V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅