ON Semiconductor FDA16N50-F109

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

205W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

TIN

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

205W

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 8.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1945pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

150ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

16.5A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

66A

雪崩能量等级（Eas）

780 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant