ON Semiconductor FDAF62N28

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3PF

Power Dissipation (Max)

165W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

36A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET™

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

280V

额定电流

36A

元素配置

Single

功率耗散

165W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

51mOhm @ 18A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4630pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

560ns

漏源电压 (Vdss)

280V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

220 ns

连续放电电流(ID)

36A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

280V

双电源电压

280V

输入电容

4.63nF

漏源电阻

51mOhm

最大rds

51 mΩ

栅源电压

5 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅