ON Semiconductor FDB024N08BL7

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

引脚数

7

质量

1.312g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

246W Tc

Turn Off Delay Time

87 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

JESD-30代码

R-PSSO-G6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

246W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

47 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13530pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

178nC @ 10V

上升时间

66ns

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

41 ns

连续放电电流(ID)

229A

JEDEC-95代码

TO-263CB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0024Ohm

DS 击穿电压-最小值

80V

高度

4.7mm

长度

10.2mm

宽度

9.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant