ON Semiconductor FDB0260N1007L
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FDB0260N1007L
1807-FDB0260N1007L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0260N1007L MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.8 VNew
--最小包装量--
FDB0260N1007L详情
ON Semiconductor FDB0260N1007L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
质量
1.312g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3.8W Ta 250W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Single
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6m Ω @ 27A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8545pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
118nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
200A
阈值电压
2.8V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDB0260N1007L拓展信息
ON Semiconductor
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