ON Semiconductor FDB1D7N10CL7

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

20 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

268A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 15V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

250W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.65m Ω @ 100A, 15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 700μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11600pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

163nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-263CB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

168A

漏极-源极导通最大电阻

0.00175Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1390A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

595 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

80 pF

关断时间-最大值（toff)

194ns

接通时间-最大值(ton)

116ns

RoHS状态

符合RoHS标准