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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥29.216207
10
¥27.562456
100
¥26.002324
500
¥24.530488
1000
¥23.141968
ON Semiconductor FDB2552-F085
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- 对比
FDB2552-F085
1807-FDB2552-F085
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET
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¥
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FDB2552-F085详情
ON Semiconductor FDB2552-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
Power Dissipation (Max)
150W Tc
Turn Off Delay Time
36 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A Ta 37A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
36m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
51nC @ 10V
上升时间
29ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
29 ns
连续放电电流(ID)
37A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDB2552-F085拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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