ON Semiconductor FDB2710
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FDB2710
1807-FDB2710
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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N-Channel 250 V 42.5 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3
--最小包装量--
FDB2710详情
ON Semiconductor FDB2710重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
260W Tc
Turn Off Delay Time
112 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
42.5MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
250V
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
50A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
260W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
80 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
42.5m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7280pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
101nC @ 10V
上升时间
252ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
154 ns
连续放电电流(ID)
50A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
250V
双电源电压
250V
栅源电压
4 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
11.33mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDB2710拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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