ON Semiconductor FDB42AN15A0

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta 35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2002

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

150V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

35A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

42m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2150pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

19ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

35A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.042Ohm

漏源击穿电压

150V

雪崩能量等级（Eas）

78 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅