ON Semiconductor FDB8896

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Turn Off Delay Time

58 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta 93A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.7MOhm

电压 - 额定直流

30V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

93A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.7m Ω @ 35A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2525pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

67nC @ 10V

上升时间

102ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

44 ns

连续放电电流(ID)

93A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80A

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

74 mJ

长度

3mm

宽度

1.7mm

高度

1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅