ON Semiconductor FDBL0065N40

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerSFN

引脚数

8

质量

850.0521mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

429W Tj

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.65m Ω @ 80A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

296nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

300A

JEDEC-95代码

MO-299A

漏极-源极导通最大电阻

0.00065Ohm

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

1064 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅